拼接屏。该拼接屏采用了25微米LED芯片，由4个14.5英寸Micro-LED箱体拼接组成，像素间距为500微米，在行业内处于领先地位。

　　这款拼接屏采用了国内首款Micro-LED专用驱动IC，实现了10 bit色深和240 Hz高刷新率，并配合特有的De-Mura方案，明显提升了显示效果。

　　同时，辰显光电还采用了自主研发的混合驱动电路架构，成功实现了600 nit亮度（支持HDR功能，最高可达1000 nit）。

　　1．国内首款P0.5 TFT基Micro-LED大尺寸拼接屏，实现了真正意义上的无限拼接

　　在Micro-LED显示技术的发展中，无限拼接一直被视为一项重要的目标。辰显光电目前实现的这项技术突破使得TFT基Micro-LED屏幕在大尺寸拼接领域拥有了更高的分辨率和更出色的显示效果。用户能根据自己的需求，自由拼接Micro-LED屏幕，形成任意尺寸的显示画面，为高端应用提供了灵活性更好和多样化的解决方案。

　　辰显光电成功降低了IJP（Inkjet Printing）封装的反射率，使其稳定在5%以下。IJP技术是Micro-LED封装的关键步骤之一，其高反射率一直是制约Micro-LED显示品质的挑战之一。通过技术团队的不懈努力，辰显光电成功地克服了这一难题，确保Micro-LED显示画面在高亮度状态下仍就保持出色的显示效果，为用户所带来更加清晰和逼真的视觉体验。

　　值得一提的是，辰显光电还引入了自主开发的高速巨量转移技术，将25微米LED芯片转移良率提升至99.995%。同时，采用了LED后处理技术，确保了显示色彩的一致性和鲜艳度。

　　为了推动Micro-LED显示技术在中国的发展，今年7月辰显光电已经与成都高新技术产业开发区管理委员会正式签署了Micro-LED显示屏生产基地项目投资合作协议。这在某种程度上预示着全球首条TFT基Micro-LED显示屏生产线即将在四川成都真正开始启动。据预测，辰显光电的TFT基Micro-LED产品将在2024年进入正式出货阶段。

　　这一突破性的进展将为用户所带来全新的惊喜，同时对整个显示产业的发展产生积极的推动作用。辰显光电在Micro-LED技术领域的不停地改进革新和发展，为中国显示技术走向国际舞台提供了强有力的支持。

　　，屏幕分辨率为 320x240，驱动IC为ILI9320/9325/9341。技术参数：1、工作

　　，玻璃基板仅为0.12mm。该公司表示其芯片尺寸小于30um，这是真正的microLED产品。另外，其显示驱动器采用最先进的有源低温多晶硅半导体显示技术，具有非常好的显示效果。

　　箱体，这一里程碑式的突破不仅彰显了我国在高端显示技术领域的强大实力，更将为

　　微显示芯片 /

　　设计和低功耗等特点，被大范围的应用于海南省的景区、商业场所、会议场所和数字展示场所等各种场景中，为展示内容提供了更生动、直观的展示效果。