er 1制造商博格华纳达成了一项重要战略合作协议。该协议旨在提供高性能碳化硅

　　此外，博格华纳还宣布与安森美公司签署了总值10亿美元的交易，以获取SiC器件供应。

　　根据博格华纳的公告，为了充分的发挥意法半导体SiC MOSFET芯片的卓越性能，两家公司的技术团队将密切合作，将这些芯片与博格华纳的Viper功率开关完美融合，以实现最佳逆变器性能，同时构建紧凑而高效的电力架构。这项合作将为正在迅速增长的电动汽车市场提供大规模生产能力，以满足一直增长的市场需求。

　　意法半导体汽车和分立器件事业部总裁Marco Monti表示，公司将致力于扩大SiC产能，同时增强SiC器件的供应能力，包括通过垂直整合来提高产能，以支持全世界汽车和工业客户向电气化和更高效率的转型。

　　值得一提的是，意法半导体的大批量STPOWER SiC产品在意大利和新加坡的工厂生产，然后在摩洛哥和中国的后端工厂进行先进的封装和测试。

　　另外，据了解，公司已于2022年10月宣布计划在卡塔尼亚兴建一家集成SiC衬造工厂，以扩大其功率半导体制造能力。

　　该工厂将成为公司功率半导体领域的专业中心，也是SiC集成研究、开发和制造的重要基地。

　　声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。举报投诉

　　将使用第三代750v sic mosfet芯片作为现在和未来沃尔沃bev型号的牵引变频。在此之前，

　　已经与安森美签订了10亿美元的sic配件合同。stpower mosfet的大量生产在新加坡和意大利的工厂进行，并在摩洛哥和中国的后端工厂做包装和测试。

　　，单元结构和漂移区参杂以及厚度之间有较为显著的差异。那么下文主要是针对不同类型的

　　，它们之间的区别大多数表现在以下几个方面。 一、材料： IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘

　　具有更高的开关速度和更宽的输出频率。SiC功率芯片主要由 MOSFET和 PN结组成。 在众多

　　技术制造而成，能轻松实现高功率、高效率、高频率的控制和开关，适用于电动车的逆变器、充电器、DC-DC转换器等多种应用。

　　中的电源系统要更少的串联开关，从而提供了简化和可靠的系统布局。 随着新行业和产品采用电子和

　　（SiC）技术 Silicon Carbide Adoption Enters Next Phase

　　（SiC）技术的需求继续增长，这种技术能最大限度地提高当今电力系统的效率

　　希望通过此次合作，使其未来200mm晶圆生产能够使用Soitec的Smart

　　等拥有自己的SiC生产线等。 衬底方面，国际主流产品从4英寸向6英寸过渡，Cree已经开发出8英寸衬底。国内衬底主要

　　、光伏、航天、军工等环境应用领域有着无法替代的优势...以下针对SiC

　　的制造工艺流程大体类似，最重要的包含光刻、清洗、掺杂、蚀刻、成膜、减薄等工艺。不少功率

　　组件与日俱增的需求，协助其向电气化迈进并达到更高效率。新厂预计2023年开始投产，以实现

　　组件与日俱增的需求，协助其向电气化迈进并达到更高效率。新厂预计2023年开始投产，以实现

　　渠道，并满足该领域强劲增长的客户的真实需求。该协议还将支持英飞凌的多源采购战略并提高公司的

　　（STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码：STM）宣布，为世界上的排名前列的电源模块系统厂商赛米控（Semikron）的eMPack®电动

　　6.3.4.3确定表面势6.3.4电学表征技术及其局限性6.3氧化及氧

　　商致瞻科技有限公司获得Pre-A轮融资。11月20日，毅达资本在官方微信宣布，已完成对致瞻科技的投资。依托核心团队10余年的

　　（SiC）又叫金刚砂，它是用石英砂、石油焦、木屑、食盐等原料通过电阻炉高温冶炼而成，其实

　　产品创新成果，协助系统厂商研发能够将太阳能转化成电网电能的高能效电子设备。