在芯片制造领域，台积电凭借着超高的良品率，一举成为全世界最大的芯片制造商，而三星和英特尔紧随其后，尤其是英特尔，一直都想重新再回到半导体领导者地位。

　　然而，现实并不允许英特尔“臆想连篇”，原因很简单，那就是英特尔和台积电之间的差距实在是太大了。要知道，目前英特尔只是进入了10nm制程工艺，而台积电和三星都已完成了3nm芯片的研发。关键是，台积电已经计划在2025年实现2nm芯片的量产。

　　也就是说，如果英特尔想超越台积电，那么就必须在2025年之前实现2nm芯片或者突破更高制程芯片。这项任务对于英特尔来说，几乎不可能完成。正如台积电创始人张忠谋说的那样：即使投资540亿美元，美国也不可能打造一条完整的半导体产业链，其推动芯片本土化属于徒劳无功之举。

　　要知道，英特尔可是有着“美太子”之称，其不仅仅可以从ASML手中获得最先进的EUV光刻机，而且还能不收任何限制的使用美技术和元器件。在这样的情况下，英特尔至今都没有突破7nm制程，其实力不敢恭维。

　　让人没想到的是，就在近日有消息称，美国康奈尔大学的科学家通过改良的家用微波炉解决了2nm半导体工艺生产的重大障碍。

　　另外，康奈尔大学还发表了一篇名为“通过微波退火对掺杂超过其溶解度极限的磷的纳米硅片进行相对有效且稳定的活化”的论文。

　　据悉，康纳大学是在台积电的支持下，才开展的微波退火研究，而该项技术适用于最新的奈米片晶体管技术，台积电方面也已经表示将使用2nm的奈米片来生产GAAFET。

　　此消息一出，就有美媒表示，英特尔可完全利用该项技术实现对台积电的反超。那么问题来了，台积电会让英特尔使用该项技术吗？暂且不说台积电愿不愿意，美方联合日本研发2nm芯片就能说明一切。

　　值得一提的是，在价值2800亿美元的《芯片与科学法案》通过一个月后，英特尔方面宣布，投资200亿美元的晶圆代工厂正式破土动工。而据知情人士分析，英特尔新建的晶圆厂将于2025年量产相当于2nm、1.8nm工艺的芯片。

　　尽管如此，外界还是不看好英特尔可以在一定程度上完成“弯道超车”。因为率先量产更先进的制程芯片，并不代表领先。比如由三星代工的骁龙8处理器，相比于由台积电代工的骁龙8处理器就存在很大差异，前者代工的芯片性能远不及后者代工的芯片。也就是说，芯片良品率决定了芯片的性能高低。

　　除此之外，虽然三星率先量产了3nm芯片，但由于芯片良品率问题，高通、苹果、AMD等企业还是选交给台积电代工。

　　所以我们完全有理由相信，就算英特尔突破了2nm芯片工艺，其也不会对台积电行业老大的位置造成任何影响。对此，你们怎么看？欢迎各位留言点赞分享。